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關鍵詞:知識產權 集成電路 布圖設計權
中國政府為了滿足Trips協議的要求,于2001年頒布了《集成電路布圖設計保護條例》,該條例已于同年開始實施[2].從該條例的文字規定看,中國的集成電路布圖設計的保護水平已經完全滿足了Trips協議的要求。
事實上,中國政府早在1991年就開始起草《集成電路布圖設計保護條例》。這一動議肇始于《集成電路知識產權條約》(以下簡稱《集成電路條約》)的制訂。早在1986年,就召開了多次外交會議和專家會議,研究、起草《集成電路條約》,中國政府積極參與了該條約起草的全過程。1990年5月,在華盛頓召開外交會議,通過了集成電路條約,包括中國在內的多數國家投票贊成。此后,中國政府立即組織專門小組開始研究和起草《集成電路布圖設計保護條例》。在起草工作初期,的《集成電路條約》是中國立法的主要參考文件。1993年,在GATT烏拉圭回合談判中,Trips協議草案的鄧克爾文本提出后,考慮到中國當時正試圖恢復其GATT締約國的地位,Trips協議成為中國起草《集成電路布圖設計保護條例》所參考的最為重要的文獻
由于WIPO的《集成電路條約》一直未能生效;加之中國加入WTO的進程又是一波三折,中國的《集成電路布圖設計保護條例》一直沒有一個適當的出臺時機。直到2001 年,中國在加入WTO方面出現了轉機,為配合國內外各方面的工作,中國政府頒布了《集成電路布圖設計保護條例》。就在這一年,中國加入了WTO.
本文擬就中國《集成電路布圖設計保護條例》的規定,同Trips協議和WIPO的《集成電路條約》以及有關國家的法律,分別從權利的保護對象、范圍、內容和效力等方面,從知識產權法律理論的角度進行分析、評論和比較。
一、保護對象
中國的《集成電路布圖設計保護條例》開宗明義在標題上直接采用布圖設計作為中心詞,這就將其保護范圍限定于半導體集成電路,因為只有半導體集成電路在制造過程中對布圖設計有著必然的依賴。該條例第二條在界定集成電路概念時專門指明,條例中所稱集成電路為半導體集成電路。[3]
將保護范圍限定在半導體集成電路范圍是國際上的通例。美國是世界上第一個頒布集成電路保護法律的國家,從美國1978年首次提出集成電路保護的問題,到1984 年頒布專門立法的過程可以看出,布圖設計(美國法稱掩模作品)一直被作為這類法律保護的直接對象[4].應當說,這一法律的最基本的目的就是為了防止未經許可隨意復制他人的布圖設計。此后,日本、瑞典等國的保護集成電路的國內法均采用了這種“美國模式”。
1986年在美、日等國的提議下,WIPO開始制訂保護集成電路的條約。盡管該條約在總體設計上采用了前述美國模式,但在其起草過程中,也曾經就是否明確將保護對象限定在半導體集成電路之內發生過爭論。在1988年11月的草案中,對于是否在集成電路之前加上“半導體”這一文字限定,依舊是兩種方案。
事實上,通過保護布圖設計的手段來達到保護集成電路目的的美國模式本身,已經將保護對象限定在半導體集成電路的范圍之內了。因為在目前的技術發展水平上,布圖設計本身就是針對半導體集成電路的,每一種半導體集成電路都必然與一套特定的布圖設計相對應。而半導體集成電路之外的混合集成電路(Hybrid IC),如薄膜或者厚膜集成電路均不直接涉及布圖設計的問題。美國人甚至在其國內法的標題上或正文中就直接采用了半導體芯片或者半導體產品的提法。[5]
中國的集成電路保護條例從起草到頒布的整個過程,都一直使用半導體集成電路的提法。這種做法不僅同國際社會保持一致,而且也符合知識產權制度本身的功能分配。對于半導體集成電路之外的其他集成電路,如前述混合集成電路中并不存在像布圖設計這樣復雜的設計,充其量也就存在一些如同印刷電路、相對簡單的金屬化互聯引線。嚴格說來,混合電路只是一種由若干分立器件(Devices)或半導體集成電路組合而成的功能性組件,完全不同于半導體集成電路將全部器件集成于單片的硅或化合物半導體材料之中。因此,對于半導體集成電路之外的其他相關產品完全可以適用專利法加以保護。不致出現如半導體集成電路所面臨的與專利法之間的不和諧[6].
盡管世界各國在其立法模式上普遍采用了保護布圖設計的美國模式,但對布圖設計的稱謂卻各不相同。世界上最早立法保護集成電路的三個國家中就分別采用了三種不同的叫法:美國人稱其為掩模作品(Mask work);日本人則使用了線路布局(Circuit Layout)的提法;瑞典人使用的是布圖設計(Layout Design)。但這并不算結束,隨后跟進的歐共體指令[7]卻又使用了形貌結構(Topography,也有譯作拓樸圖或者構型的)。在這多個術語中,中國與WIPO的《集成電路條約》保持一致,采用了布圖設計的稱謂。
美國法所使用的“掩模作品”,雖然在產業界十分流行,但在技術層面上顯然已經落后。如今,相對先進的制造商已經完全可以不再使用傳統的掩模板來制造集成電路。所有掩模圖形均可以存儲于計算機中,通過控制電子束掃描進行表面曝光,或者通過低能加速器進行離子注入等技術均可將掩模圖形集成于半導體材料之中。而日本人所使用的線路布局一詞則很容易同印刷電路 (Printed Circuit)混淆,在產業界也少有人這樣稱呼布圖設計。相比之下,布圖設計和形貌結構則是較為通行的用法,其中形貌結構(Topography)原本為地理學中術語,指起伏不平的地貌,后微電子產業借用了這一術語,用以指代布圖設計。但在漢語環境中,布圖設計的用法更為普遍,故中國的相關規定采用了布圖設計一詞[8].
從上面分析可知,中國的國內法在保護對象方面采取了與國際上相關國際條約或者有關國家的國內法完全相同的模式,即通過直接賦予布圖設計以專有權的方式,來實現保護采用該布圖設計的集成電路的目的。
二、權利內容的設定
各國在集成電路保護問題上都采用了設權方式,即在傳統的知識產權體系中新設立一種既不同于專利權,也不同于著作權等傳統知識產權形式的新型權利—布圖設計權 [9].就中國而言,考慮到中國立法的直接目的,自然不可能另外閉門自造一套與眾不同的制度。根據中國《集成電路布圖設計保護條例》,布圖設計權人享有 (l)對受保護的布圖設計的全部或者其中任何具有獨創性的部分進行復制的專有權,和(2)將受保護的布圖設計、含有該布圖設計的集成電路或者含有該集成電路的物品投入商業利用的專有權。[10]這一規定同wTO的Trips協議相比,僅僅在文字表述方式上存在差異,其權利內容是完全相同的。[11]
從前述規定中可以發現,所謂布圖設計權在內容上包含兩個方面,即復制權和商業實施權。而這兩項內容在原有的知識產權種類中,分別屬于著作權和專利權中的權能。布圖設計權則兼采二者內容于一身,這反映出集成電路保護法在原有的知識產權體系中介于專利權和著作權之間的特殊地位,這一特性同樣在布圖設計受保護的條件上得到突出反映。受著作權法保護的作品必須具備獨創性,被授予專利權的發明則必須具備創造性,即只有相對比現有技術水平有較大提高的發明才能獲得專利權,這是各國專利法的通行做法。而從目前國際社會對于獨創性的解釋可知,作品只需具備最低限度的創造性即被認為具備了獨創性。由此可以推知,專利法中的創造性在創造高度方面的要求顯然高于著作權法中的獨創性。而各國的集成電路保護法及相關國際條約在保護條件方面的規定,一方面借用了著作權法中關于獨創性(originality)的概念,另一方面又要求受保護的布圖設計不能是平庸或者司空見慣的。[12]可見在法律上對受保護布圖設計在創造性方面所提出的要求正好介于著作權法和專利法之間。
布圖設計權之所以在內容上兼采著作權和專利權中的內容,根本原因還是布圖設計本身同時具有著作權法和專利法保護對象的雙重屬性。布圖設計在外在形式上,表現為一系列的圖形。如歐共體集成電路保護指令中就直接將布圖設計定義為一系列的圖形,[13]當這些平面圖形按照一定的規則被固化在硅片表面下不同深度中后,便可形成三維的立體結構,實現特定的電子功能,也就是說這種外在表現為圖形的布圖設計有其內在的實用功能,其最終的價值是通過特定的電子功能得以實現的,正是因為布圖設計的這種屬性導致了布圖設計權在內容上的設計也具備了類似著作權和專利權的屬性。
三、權利效力和限制
在各類知識產權中,受法律保護的條件存在高下之分。這必然導致權利效力也存在強弱不同。著作權的效力僅限于作品的表達(expression),而專利權所能延及的層面則比著作權法中的表達更為抽象。專利權的效力不僅延及于某一技術方案的某種具體實現方式,而且可以延及該技術方案本身。從前述布圖設計權的內容的介紹中可以看出,中國法規中所規定的布圖設計權,在效力上同專利權的設計并無差異。然而,回顧WIPO起草《集成電路條約》的過程可知,參與起草的各國曾就布圖設計權的效力發生過極大的爭議,發展中國家希望將布圖設計權的效力限定在復制布圖設計和利用布圖設計制造集成電路這兩個層面上;而以美、日為代表的集成電路技術強國則并不滿足這兩個層面,還打算將布圖設計權的效力延伸至安裝有受保護的布圖設計集成電路的物品上。美、日兩國的主張即是將布圖設計權的效力延伸到第三個層次上,這在效力上就完全等同于專利權。由于發展中國家的強烈反對,致使WIPO的條約在布圖設計權的效力上采取了模棱兩可的做法,即在該條約的第3條(1)(h) 和第6條(1)(a)(ii)中分別采用了不同的表述方式。
然而,在1994年WTO的Trips協議通過之后,由于Trips 協議就布圖設計權的效力作了專門規定,[14]致使WIPO條約中遺留的問題在Trips協議中不復存在,Trips協議完全采取了美、日等國的立場,將權利效力延伸到了第三層次。中國為了能加入WTO,自然只能采用跟進的態度,在中國的《集成電路布圖設計保護條例》第7條中,有關布圖設計權的效力與 Trips協議在實質上完全一致。
應該說,在Trips協議通過之后布圖設計權的效力問題在立法上已經解決,但是Trips協議的這種做法在知識產權法律理論上是存在問題的,知識產權的效力從來都同該權利產生的條件高低相關。通常,權利產生的條件越苛刻,權利效力也就越強,這在前述著作權和專利權的效力差異上已經表現得尤為明顯,不僅如此,對于同類知識產權也是這樣,比如商標必須具備顯著性才能受到法律保護,因此顯著性即為商標權產生的條件。如果一個商標的顯著性強,則依附于該商標上的商標權的效力也相應較強,而布圖設計權在創造性要求方面顯然低于專利法的要求,因此其權利效力理所當然地應當低于專利法,而不應當與專利權相同,即不應當延伸到第三層次上。當然,布圖設計權的創造性要求比起著作權又遠高于獨創性要求,因此布圖設計權的效力應當強于著作權。具體地講,著作權效力只能及于對作品的復制;而布圖設計權的效力則不僅可及于對布圖設計的復制,還可以延伸到對布圖設計本身的商業利用,即第二層次。所以,當年發展中國家在WIPO《集成電路條約》談判中的主張在理論上應當是成立的。中國雖然一直都不贊同美、日等國的主張,但為了同 WTO的相關規定保持一致,只得將布圖設計權的效力強化到用集成電路組裝的物品的商業利用,即第三層次。
無論是著作權,還是專利權在法律上都受到一定的限制,布圖設計權也不例外。中國的相關法律對于布圖設計權的限制同國際上其他國家的規定并無大異。為個人目的或者單純為評價、分析、研究、教學等目的而復制受保護的布圖設計,比如為前述目的實施反向工程的行為;或者在前述反向工程的基礎上,創作出具有獨創性的布圖設計的行為;以及對自己獨立創作的與他人相同的布圖設計進行復制或者將其投入商業利用的行為等均不屬于侵犯布圖設計權的行為等。[15]這類行為等同于著作權法中合理使用行為。此外,中國《集成電路布圖設計保護條例》還就權利用盡等知識產權法中通行的權利限制類型作出了規定。[16]
在中國《集成電路布圖設計保護條例》中還明確規定了非自愿許可的相關條件和性質[17].即不僅將實施非自愿許可限定在國家處于緊急狀態或者作為不正當競爭行為的救濟措施的條件上,而且將這種許可方式界定為非獨占的、有償的。并且,當實施非自愿許可的條件一旦消失,該許可就應當被終止。這些規定同Trips協議以及《巴黎公約》中關于強制許可的規定基本一致[18].
四、實施效果的評價
中國的《集成電路布圖設計保護條例》從起草到頒布大約經歷了10年的歷程,應該說在立法方面基本遵循了國際上的通行做法,但在該條例實施的頭15個月里,國家知識產權局總共接到的布圖設計權申請數量為245件[19],平均每月不足17件。到目前為止,中國尚未見有依照該條例判決的案件。這種情況同專利法、著作權法等其他知識產權相關法律門庭若市的狀態相比顯然呈門可羅雀之狀。但如果從世界范圍著眼,這一現象并非中國特色。美國作為集成電路的制造大國,在其《半導體芯片保護法》頒布20年后的今天,訴至法院的案件也屈指可數。德國作為歐洲的技術大國,每年在其專利商標局登記的布圖設計數量較之專利、商標的申請量也可謂小巫見大巫。所以中國的現狀完全是正常狀態。
這種狀態從反面提出了一個問題,即我們是否應當對現行知識產權立法的合理性進行反思?近20年來,國際知識產權立法可謂突飛猛進。第一個十年,完成了知識產權立法的總體框架;第二個十年,完全在立法上達到發達國家的立法水平。如此發展速度固然有國內經濟技術進步在宏觀上帶來的動力,但在微觀上這些年的立法似乎過分地強調一時一事的需求,而忽略了知識產權法內在的邏輯聯系和產業發展的長遠需求。比如,近10余年中發生在著作權法中的一系列事件,如計算機程序、技術措施、MP3、P2P等無不反映出這種傾向。如今,在集成電路新產品遍布于世的信息時代,集成電路布圖設計的立法似乎只具有一種象征意義,人們并沒有踴躍地選擇這種保護模式。這并非因為大家不看重集成電路本身,相反產業界對于集成電路的重視程度與計算機程序完全相當。因為集成電路是計算機硬件的核心,人們不可能對集成電路技術漠不關心。人們冷落集成電路布圖設計保護法的原因還在于現實的需求和已有的法律框架間存在差距。
進入20世紀80年代后期,由于集成電路產品更新速度大大地加快,這從計算機CPU芯片的更新上得到充分地反映。面對如此更新速度,即使是簡單地復制這類超大規模芯片的布圖設計也難以跟上技術的更新速度。隨著計算機輔助設計技術的普及,設計工作不再單純采用人工設計,大量的設計工作通過工具軟件直接生成。換言之,單純復制布圖設計未必能立即給復制者帶來豐厚的利益。此外,集成電路產品的設計不再僅僅取決于布圖設計圖形,相關工藝設計在產品制造中也發揮著越來越重要的作用。這些技術因素的變化致使原有的法律保護模式有隔靴搔癢之感。這必然導致集成電路布圖設計保護法被打入冷宮。當然,事物的發展是呈螺旋狀態的,當技術發展到一定程度后還會呈現新的瓶頸。這時技術更新的速度會大大放慢。到這時復制布圖設計在諸多因素中或許又會重新回到主導地位,到那時這種以前述“美國模式”為基礎的法律的作用或許又會重新顯現出來。
五、結論
中國的集成電路保護法在現階段只具有象征意義,因為在中國現在的土壤中保護集成電路布圖設計的需求尚不十分強烈。這一方面是因為中國的集成電路產業尚不夠發達,另一方面也是因為目前的保護模式并不完全適應產業界的需求。但中國作為國際社會的一員,為了保持與國際社會的一致性仍然頒布了這一法規。這一事實本身也說明了中國希望融入國際社會的愿望和決心。另一方面,國際社會在創設知識產權制度中的新規則時,應當從過去的實踐中總結經驗教訓,更全面、更客觀地根據長遠需求,而不是眼前利益決定制度的發展和進步……
注釋
[1]本文根據2004年10月10日在中德知識產權研討會上發言稿修改而成。
[2]見中華人民共和國國務院令第300號。
[3]中國《集成電路布圖設計保護條例》第二條第一項規定:“集成電路,是指半導體集成電路,即以半導體材料為基片,將至少有一個是有源元件的兩個以上元件和部分或者全部互連線路集成在基片之中或者基片之上,以執行某種電子功能的中間產品或者最終產品”。
[4] 見Morton David Goldberg,Computer software and Chips(protection and Marketing) 1985一Volume one,Practising Law Institute,page 203;又見Alfred P.Meijboom International Semiconductor Chip Protection,International Computer Law Adviser Dec.1988;以及美國法典第17編第9章第901、902條。
[5]見美國法典第17編第9章。
[6]見郭禾,《半導體集成電路知識產權保護》載《中國人民大學學報》2004年第1期,總103期。
[7]見歐共體《關于半導體產品形貌結構法律保護的指令》(87/54)。
[8]早在約20年前編寫的《中國大百科全書??電子學與計算機》就以布圖設計作為主詞條。見《中國大百科全書??電子學與計算機》第55頁。
[9]見郭禾,《集成電路布圖設計權—一種新型的知識產權》,載《知識產權》雜志,1992年第6期。
[10]見中國《集成電路布圖設計保護條例》第7條。
[11]見TriPs第35、36條。見wIPO集成電路條約第3條第2項(a)、(b),美國《半導體芯片產品保護法》第902條(b)款。
[12]見wIPO集成電路條約第3條第2項(a)、(b),美國《半導體芯片產品保護法》第902條(b)款。見歐共體《關于半導體產品形貌結構法律保護的指令》(87/54)。
[13]見歐共體《關于半導體產品形貌結構法律保護的指令》(87/54)。
[14]見TriPs協議第36條。
[15]見中國《集成電路布圖設計保護條例》第23條。
[16]見中國《集成電路布圖設計保護條例》第24條。
[17]見中國《集成電路布圖設計保護條例》第25一29條。
[18]見Trips協議第37條第2款、第31條,巴黎公約第5條。
關鍵詞:國際工程施工;補充設計;成本管理;經營效果
中圖分類號:U412.36+6 文獻標識碼: A 文章編號:
1 概述
國際公路工程項目一般包括LotA : 建點、設計、測量和控制 ;LotB:清障剝離、土方、排水、植被;LotC:路體;LotD:橋隧構造物和土建四大塊施工內容。其中LOTA中的設計指的就是補充設計。在國際公路工程中業主提供的所有施工圖紙中的涉及LotC和 LotD的圖紙是可以直接用于施工的,但涉及LotB的施工圖紙都需要重新進行設計。它一般包括整個標段主線段,支線段、互通等的20米斷面設計,管涵設計,半幅管設計,箱涵設計,橫向排水設計,排水溝設計,大橋橋臺和通道錐坡、護坡設計,通訊電纜溝設計等。本人通過對兩個國際公路工程項目補充設計的實踐,對補充設計的體會如下:
2 20米斷面設計
公路項目施工一般要先啟動土方工程,要啟動土方工程就必須要批準的20米斷面設計圖。所以20米斷面設計是高速公路項目補充設計需要最早啟動的內容。象構造物比如通道,包括上部通道(PS通道),下部通道(PI通道),車輛通道(PV通道)以及大橋他們的圖紙都是可以直接用來施工的圖紙。
在國際工程中,20米斷面他們認可是采用PISTE 軟件生成的20米斷面。采用AUCTOCAD及其計算機軟件生成的他們一般不認可。 采用PISTE 軟件生成的20米斷面一是速度快不影響施工,二是工程量計算比較準確和方便,你可以根據需要從軟件里調出你需要的某種工程量。比如每一層路面結構的開挖量,回填量等等。
在國際工程中普遍采用此軟件設計20米斷面。
3管涵設計
公路項目一般有較多的排水構造物,最多是管涵。
在投標時一般管涵的價項說明如下:此價項支付涵管施工后的延米長度。
此價項一般包含:
涵管的制造和供貨,包括涵管施工的需要的供貨;
按照施工圖紙上確定的寬度,管涵墊層厚度抬高了的管涵外部直徑相符的深度,不論施工地點土質情況,包括巖石,不論其開挖裝料方式,進行開挖施工,無論運距遠近的材料運輸、卸料至再次使用地點或將其放置永久棄碴場,超過設計輪廓線的挖方工程由承包商負責的費用;
支撐、隧道支護以及可能的保護和擋墻支撐;
在干燥情況下構造物施工所需的排水和泵送;
天氣炎熱或者水下等等情況下的混凝土澆注工程;
專用技術條款規定的管涵墊層施工所需的材料;
不論流水線調整深度的管涵墊層的施工以及考慮到構造物最終壓實的各類附屬設施;
用貧砼填充多孔管涵之間的空隙(有的不一定包括);
普遍的管函的施工剖面圖見下圖(圖一):
附圖一:
3.1開挖和回填坡比的確定
根據管涵計價的價項說明按照施工圖紙上確定的寬度,管涵墊層厚度抬高了的管涵外部直徑相符的深度,不論施工地點土質情況,包括巖石,不論其開挖裝料方式,進行開挖施工,無論運距遠近的材料運輸、卸料至再次使用地點或將其放置永久棄碴場。
所以為了減少開挖與回填工程量,設計時盡量采用大一點的開挖和回填坡度,比如圖中所示2:1開挖和回填坡度。
3.2砂墊層厚度
根據管涵計價的價項說明包括管涵墊層的施工。所以不管是單孔,雙孔還是多孔,有一個10公分到20公分范圍砂墊層的問題。設計時盡量采用10公分。
3.3雙孔及多孔涵管之間的連接混凝土
如果管涵計價說明中不包括用貧混凝土填充多孔管涵之間的空隙,就可以根據施工時實際用量來結算。
如果計價說明中包括用貧混凝土填充多孔管涵之間的空隙;在投標單價分析中不能漏了此項,另一方面是單價分析時不能單單考慮雙孔來代替多孔,應把所有多孔的單價逐一分析。以免在此價項中有所虧損。
在計價說明中包括用貧混凝土填充多孔管涵之間的空隙;設計時應從以下幾方面節約混凝土成本:
3.3.1混凝土的種類。這類混凝土只起一個固定連接管涵的作用,雖然標準參考圖紙上標明的是墊層混凝土(BPE),但在設計時可以采用填充混凝土(BR)。因為根據規范墊層混凝土(BPE)每方大要采用250公斤左右的水泥,而填充混凝土(BR)每方只需采用150公斤左右的水泥。所以盡量采用填充混凝土(BR)。
3.3.2管涵之間的平行間距。雙孔多孔管涵施工情況下2個管涵的平行間距。如上圖所示有2種情況,第1種是2個管涵內壁間距60公分;第2種是2個管涵內壁間距50公分。設計圖紙是采用第1種情況對我們有利。
3.3.3混凝土的高度問題。如上圖從中心到底部內壁的高度和從頂部外部與2個管涵120度圓周交線之間的高度。設計時采用第1種即從中心到底部內壁的高度能夠大大節約混凝土量。
4排水檢查井及滲透井
包括自排水溝或開挖邊溝的鋼筋混凝土管涵連接處,以及盲溝及干管上的公共檢查井及管涵上面的檢查構造物。
總體的價項包含:必要土方基礎施工,規定的深度開挖,無論地面性質如何,包括巖石部分,開挖方式及清理料,由承包商自費將其堆放至永久棄渣場;根據規定無論運距多遠,供料,運料及卸料;盲溝分流;出現水時抽水泵及低基護板費用;檢查井施工及由水處理和其他小工程導致的附加費用;
由于此類檢查井也是按延米計價:
設計時要考慮邊的厚度問題,盡量采用小尺寸厚度;投標時要考慮的是檢查井的大小問題,由于檢查井接涵管,所以就要考慮如圖一所示接管涵是單管涵還是多孔管涵的問題。
5 混凝土排水溝設計
高速公路排水溝的具體形式圖見下圖(圖三)所示:
附圖三:
施工中混凝土排水溝是為TYPE-TR-b-H。其中(*)b可以為0.5;1.0;1.5;2.0;2.5;3.0;3.5m。(**)H可以為A型0.5 m;B型1.0 m;C型1.5 m。D型2.0 m。混凝土可以使用2種,即B20混凝土和鋼纖維混凝土。此類混凝土排水溝是按照延米來計價的。
實際施工中為了方便施工加快施工進度,設計時選用鋼纖維混凝土排水溝。施工時采用滑模機澆筑。
6結 語
公路工程的一個重要組成部分就是土方工程,同時也包含很多排水構造物,而土方工程和排水都屬于補充設計的內容,只有在投標報價時仔細研究招標條款中的價項說明,不漏項,考慮齊全;同時在補充設計中從細節方面不斷的優化,項目的利益最大化才將可能成為現實。
01專項“最”符合重,大,專
在評估03專項中,我們印象最深刻的是:03專項碰到的最大瓶頸是終端(芯片)和軟件。華為、中興現在已經是國際知名企業,他們要想做大做強,一定要在軟件和服務上下功夫,而所有這些都跟01專項密切相關。01專項不僅是國家七大新興戰略性產業的基礎,是實現國家現代化的“螺絲釘”,而且她在當好這個“螺絲釘”時,還要打造自己的“螺絲釘”,做好IP(知識產權)模塊和平臺技術。集成電路設計不僅要熟悉自己的設計知識和電路實現的物理知識,還要深入了解電子整機系統的軟硬件知識和要求,并在自己的工作中,建立應用服務平臺。這些特點說明,01專項應對的是基礎的基礎,而當前我們在這方面又比較落后,處于國際競爭劣勢環境中。這就要求我們必須在市場經濟條件下,發揮社會主義的優勢,舉全國之力,攻克之,重大專項呼應了這個要求。
01專頂也是“最”有希望的
最重要的原因是:“時運”已到。最近聽說中央政策研究室寫了一個關于蘋果公司成為全球最大科技公司的簡報,國務院領導批給了科技部和教育部。我沒有看到這個簡報和批示,但可以體會到其中的涵義。
我們常講“彎道超車”。蘋果公司就是在lCT(信息和通信技術)產業由桌面互聯網向移動互聯網時代過渡中,實現了創新超越,使自己從上世紀九十年代瀕臨倒閉、需要微軟注資的困境中,一舉超越微軟成為全球科技品牌價值第一和全球股票市值第二(僅次于石油大王埃克森美孚)的耀眼明星。
這個時代對我們半導體界來說,有一個很大的挑戰。過去按摩爾理念,提高性能的辦法是通過縮小器件尺寸來實現的,而云計算則是通過擴大(而非縮小)計算機集群來提高體系的性能:與此相對應的是,過去通過提升集成度(增加功能)和頻率來提高器件或終端單位時間內的辦事效率,而云計算則是通過虛擬化提高體系的效率。這是兩種完全不同的理念。這樣一來,就出現了一個很值得重視的變化:過去,要求終端無比強大,不斷提高終端本地的應用效率,即做得更快、更強、更好;而現在,在大多數情況下,終端成了一個“好瀏覽器”,導致了終端模式的多樣化和智能化,并成為網絡服務的一個組成部分,主要用于信息的消費,而不是信息的生產。這也是我們信息板塊監督評估組的共識。
集成電路(IntegratedCircuit)產業是典型的知識密集型、技術密集型、資本密集和人才密集型的高科技產業,是關系國民經濟和社會發展全局的基礎性、先導性和戰略性產業,是新一代信息技術產業發展的核心和關鍵,對其他產業的發展具有巨大的支撐作用。經過30多年的發展,我國集成電路產業已初步形成了設計、芯片制造和封測三業并舉的發展格局,產業鏈基本形成。但與國際先進水平相比,我國集成電路產業還存在發展基礎較為薄弱、企業科技創新和自我發展能力不強、應用開發水平急待提高、產業鏈有待完善等問題。在集成電路產業中,集成電路設計是整個產業的龍頭和靈魂。而我國集成電路設計產業的發展遠滯后于計算機與通信產業,集成電路設計人才嚴重匱乏,已成為制約行業發展的瓶頸。因此,培養大量高水平的集成電路設計人才,是當前集成電路產業發展中一個亟待解決的問題,也是高校微電子等相關專業改革和發展的機遇和挑戰。[1_4]
一、集成電路版圖設計軟件平臺
為了滿足新形勢下集成電路人才培養和科學研究的需要,合肥工業大學(以下簡稱"我校”從2005年起借助于大學計劃。我校相繼開設了與集成電路設計密切相關的本科課程,如集成電路設計基礎、模擬集成電路設計、集成電路版圖設計與驗證、超大規模集成電路設計 、 ASIC設計方法、硬件描述語言等。同時對課程體系進行了修訂,注意相關課程之間相互銜接,關鍵內容不遺漏,突出集成電路設計能力的培養,通過對課程內容的精選、重組和充實,結合實驗教學環節的開展,構成了系統的集成電路設計教學過程。56]
集成電路設計從實現方法上可以分為三種:全定制(fullcustom)、半定制(Semi-custom)和基于FPGA/CPLD可編程器件設計。全定制集成電路設計,特別是其后端的版圖設計,涵蓋了微電子學、電路理論、計算機圖形學等諸多學科的基礎理論,這是微電子學專業的辦學重要特色和人才培養重點方向,目的是給本科專業學生打下堅實的設計理論基礎。
在集成電路版圖設計的教學中,采用的是中電華大電子設計公司設計開發的九天EDA軟件系統(ZeniEDASystem),這是中國唯1的具有自主知識產權的EDA工具軟件。該軟件與國際上流行的EDA系統兼容,支持百萬門級的集成電路設計規模,可進行國際通用的標準數據格式轉換,它的某些功能如版圖編輯、驗證等已經與國際產品相當甚至更優,已經在商業化的集成電路設計公司以及東南大學等國內二十多所高校中得到了應用,特別是在模擬和高速集成電路的設計中發揮了強大的功能,并成功開發出了許多實用的集成電路芯片。
九天EDA軟件系統包括設計管理器,原理圖編輯器,版圖編輯工具,版圖驗證工具,層次版圖設計規則檢查工具,寄生參數提取工具,信號完整性分析工具等幾個主要模塊,實現了從集成電路電路原理圖到版圖的整個設計流程。
二、集成電路版圖設計的教學目標
根據培養目標結合九天EDA軟件的功能特點,在本科生三年級下半學期開設了為期一周的以九天EDA軟件為工具的集成電路版圖設計課程。
在集成電路版圖設計的教學中,首先對集成電路設計的_些相關知識進行回顧,介紹版圖設計的基礎知識,如集成電路設計流程,CMOS基本工藝過程,版圖的基本概念,版圖的相關物理知識及物理結構,版圖設計的基本流程,版圖的總體設計,布局規劃以及標準單元的版圖設計等。然后結合上機實驗,講解Unix和Linux操作系統的常用命令,詳細闡述基于標準單元庫的版圖設計流程,指導學生使用ZeniSE繪制電路原理圖,使用ZeniPDT進行NMOS/PMOS以及反相器的簡單版圖設計。在此基礎上,讓學生自主選擇_些較為復雜的單元電路進行設計,如數據選擇器、MOS差分放大器電路、二四譯碼器、基本RS觸發器、六管MOS靜態存儲單元等,使學生能深入理解集成電路版圖設計的概念原理和設計方法。最后介紹版圖驗證的基本思想及實現,包括設計規則的檢查(DRC),電路參數的檢查(ERC),網表一致性檢查(LVS),指導學生使用ZeniVERI等工具進行版圖驗證、查錯和修改。7]
集成電路版圖設計的教學目標是:
第熟練掌握華大EDA軟件的原理圖編輯器ZeniSE、版圖編輯模塊ZeniPDT以及版圖驗證模塊ZeniVER丨等工具的使用;了解工藝庫的概念以及工藝庫文件technology的設置,能識別基本單元的版圖,根據版圖信息初步提取出相應的邏輯圖并修改,利用EDA工具ZSE畫出電路圖并說明其功能,能夠根據版圖提取單元電路的原理圖。
第二,能夠編寫設計版圖驗證命令文件(commandfile)。版圖驗證需要四個文件(DRC文件、ERC文件、NE文件和LVS文件)來支持,要求學生能夠利用ZeniVER丨進行設計規則檢查DRC驗證并修改版圖、電學規則檢查(ERC)、版圖網表提取(NE)、利用LDC工具進行LVS驗證,利用LDX工具進行LVS的查錯及修改等。
第三,能夠基本讀懂和理解版圖設計規則文件的含義。版圖設計規則規定了集成電路生產中可以接受的幾何尺寸要求和可以達到的電學性能,這些規則是電路設計師和工藝工程師之間的_種互相制約的聯系手段,版圖設計規則的目的是使集成電路設計規范化,并在取得最佳成品率和確保電路可靠性的前提下利用這些規則使版圖面積盡可能做到最小。
第四,了解版圖庫的概念。采用半定制標準單元方式設計版圖,需要有統一高度的基本電路單元版圖的版圖庫來支持,這些基本單元可以是不同類型的各種門電路,也可以是觸發器、全加器、寄存器等功能電路,因此,理解并學會版圖庫的建立也是版圖設計教學的一個重要內容。
三、CMOS反相器的版圖設計的教學實例介紹
下面以一個標準CMOS反相器來簡單介紹一下集成電路版圖設計的一般流程。
1.內容和要求
根據CMOS反相器的原理圖和剖面圖,初步確定其版圖;使用EDA工具PDT打開版圖編輯器;在版圖編輯器上依次畫出P管和N管的有源區、多晶硅及接觸孔等;完成必要的連線并標注輸入輸出端。
2.設計步驟
根據CMOS反相器的原理圖和剖面圖,在草稿紙上初步確定其版圖結構及構成;打開終端,進入pdt文件夾,鍵入pdt,進入ZeniPDT版圖編輯器;讀懂版圖的層次定義的文件,確定不同層次顏色的對應,熟悉版圖編輯器各個命令及其快捷鍵的使用;在版圖編輯器上初步畫出反相器的P管和N管;檢查畫出的P管和N管的正確性,并作必要的修改,然后按照原理圖上的連接關系作相應的連線,最后檢查修改整個版圖。
3.版圖驗證
打開終端,進入zse文件夾,鍵入zse,進入ZeniSE原理圖編輯器,正確畫出CMOS反相器的原理圖并導出其網表文件;調出版圖設計的設計規則文件,閱讀和理解其基本語句的含義,對其作相應的路徑和文件名的修改以滿足物理驗證的要求;打開終端,進入pdt文件夾,鍵入pdt,進入ZeniPDT版圖編輯器,調出CMOS反相器的版圖,在線進行DRC驗證并修改版圖;對網表一致性檢查文件進行路徑和文件名的修改,利用LDC工具進行LVS驗證;如果LVS驗證有錯,貝懦要調用LDX工具,對版圖上的錯誤進行修改。
4.設計提示
要很好的理解版圖設計的過程和意義,應對MOS結構有一個深刻的認識;需要對器件做襯底接觸,版圖實現上襯底接觸直接做在電源線上;接觸孔的大小應該是一致的,在不違反設計規則的前提下,接觸孔應盡可能的多,金屬的寬度應盡可能寬;繪制圖形時可以多使用〃復制"操作,這樣可以大大縮小工作量,且設計的圖形滿足要求并且精確;注意P管和N管有源區的大小,一般在版圖設計上,P管和N管大小之比是2:1;注意整個版圖的整體尺寸的合理分配,不要太大也不要太小;注意不同的層次之間應該保持一定的距離,層次本身的寬度的大小要適當,以滿足設計規則的要求。四、基本MOS差分放大器版圖設計的設計實例介紹在基本MOS差分放大器的版圖設計中,要求學生理解構成差分式輸入結構的原理和組成結構,畫出相應的電路原理圖,進行ERC檢查,然后根據電路原理圖用PDT工具上繪制與之對應的版圖。當將基本的版圖繪制好之后,對版圖里的輸入、輸出端口以及電源線和地線進行標注,然后利用幾何設計規則文件進行在線DRC驗證,利用版圖與電路圖的網表文件進行LVS檢查,修改其中的錯誤并優化版圖,最后全部通過檢查,設計完成。
五、結束語
集成電路版圖設計的教學環節使學生鞏固了集成電路設計方面的理論知識,提高了學生在集成電路設計過程中分析問題和解決問題的能力,為今后的職業生涯和研究工作打下堅實的基礎。因此,在今后的教學改革工作中,除了要繼續提高教師的理論教學水平外,還必須高度重視以EDA工具和設計流程為核心的實踐教學環節,努力把課堂教學和實際設計應用緊密結合在一起,培養學生的實際設計能力,開闊學生的視野,在實驗項目和實驗內容上進行新的探索和實踐。
參考文獻:
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[6]易茂祥,毛劍波,楊明武,等.基于華大EDA軟件的實驗教學研究[J].實驗科學與技術,2006,(5):71-73.
[關鍵詞]輸電線路; 初步設計;水泥桿;鐵塔;導線;絕緣子
中圖分類號:TM726.3 文獻標識碼:A 文章編號:1009-914X(2015)30-0141-01
1 初步設計
1.1 線路路徑選擇
輸電線路的路徑選擇在整個設計過程中應給予高度的重視。路徑選擇分為圖上選線和現場選線兩個階段,圖上選線應做好事前準備如搜集1/1萬~1/5萬地形圖;了解電力系統規劃;城市、工礦發展、水利、鐵路、高等級公路等的規劃;森林及經濟作物分布;軍事設施、導航臺、電臺、已有電力線路情況等。
1.2 導線、地線的確定
由于我國國民經濟發展速度較快,加上個別行業缺乏長遠規劃,往往當線路一建成,很快就達到滿負荷運行。因此在選擇經濟電流密度時,須結合當地社會經濟發展規劃合理選擇,有條件的情況下應適當增大最大負荷利用小時數,減少線路投運后,因導線截面選擇不合理,造成的超負荷運行。
1.3 氣象條件的確定
在進行輸配電線路設計時,首先要明確當地的氣象條件。氣象條件應根據沿線的氣象臺、站的氣象資料和附近線路的運行情況進行綜合考慮。輸電線路設計主要考慮下列氣象條件:
1.3.1 最高溫度:用于計算導線的最大弧垂,保證線路對地面及建筑物的安全距離;
1.3.2 最低溫度:做為確定導線最大應力的基本條件;
1.3.3 最熱月份的平均氣溫:用于驗算導線的安全載流量;
1.3.4 最大風速:用于確定導線、電桿、拉線等受力部件的外負荷,以及驗算導線與所接近的建筑物的水平安全距離;
1.3.5 年平均氣溫:防震設計一般用年平均氣溫時導線的應力作為計算控制條件;
1.3.6 導線覆冰:用于計算導線、電桿等部件的機械強度;
1.3.7 雷電日數:用于防雷保護方面的設計考慮。
風速、覆冰厚度和大氣溫度的不同取值成為氣象條件組合。氣象條件的組合既要反映自然的變化規律以及它們同時出現的可能性,又要考慮技術經濟上的合理性;既反映客觀實際的危險程度,保證線路的運行、施工、檢修工作等的安全,又要考慮經濟上的合理及計算上的方便。
1.4 絕緣配合及防雷設計
1.4.1 絕緣配合設計
絕緣配合設計一般從設備造價、維修費和事故造成的損失三方面進行考慮,選出經濟、合理的絕緣水平。架空輸電線路的絕緣配合需要解決。
1.4.1.1 桿塔上的絕緣配合設計:按運行電壓、操作過電壓、雷過電壓來確定絕緣子的類型、片數,以及在相應風速下導線對桿塔的空氣間隙距離。
1.4.1.2 檔距中央導線與地線間絕緣配合設計:按雷過電壓確定檔距中央導線與地線的空氣間隙距離。
1.4.1.3 檔距中導線對地及各種被跨越物的絕緣配合設計:按操作過電壓級雷過電壓的要求,確定導線對地及各種被跨越物的最小允許間隙距離。
1.4.1.4 檔距中央不同相導線間的絕緣配合設計:按正常運行電壓及導線震蕩的情況,確定不同相導線間的最小距離。
1.4.2 絕緣配合設計應注意的問題
1.4.2.1 對風速的取值。如正常工頻點壓:按最大風速計算;操作過電壓:按最大風速的50%計算,但不低于15m/s;雷電過電壓:按10 m/s計算(氣候惡劣的地方也可以用15m/s);校驗帶電作業間隙時的氣象條件為:氣溫15℃,風速10 m/s。
1.4.2.2 絕緣子片數的選擇一般是指懸垂絕緣子串的片數,耐張絕緣子串的片數應比垂絕緣子串多一片。
1.4.2.3 全高超過40米有地線的桿塔,高度每增加10米,應增加一片絕緣子,此時,雷電過電壓的間隙也應相應增大。
1.4.2.4 計算導線與導線間的最小距離(即線間距離)應注區分普通擋距、大檔距、大跨越的不同,應分別選用相應公式計算。一般普通擋距指1000m以下檔距;大檔距指1000-2000米不需要特殊考慮的檔距;大跨越指跨越通航大河流、湖泊和海峽,檔距在1000m以上或塔高在100m以上,導線和桿塔需要特殊考慮的檔距。
1.4.3 防雷設計
按送電線路的電壓等級,通過地區雷電活動情況和已有線路運行經驗來確定采用地線根數,確定地線的保護角。架空送電線路最有效的防雷保護是采用接地的地線,并且地線的保護角越小,其遮蔽效果越好(一般應小于20°),對于同塔多回路線路應盡可能的采用負保護角,條件允許應提高絕緣水平,即采用平衡高絕緣。
1.5 桿塔和基礎型式
1.5.1 桿塔設計
在工程設計中,一般應盡量選用典型設計或經過施工、運行考驗過的成熟桿塔型式。對新型桿塔的設計,需要充分研究設計理由,一般經過科學試驗后再選用。桿塔型式的選擇確定,要結合導線選型,線路通過地區的地質、氣象情況以及運行單位的運行經驗等來合理選擇確定。
1.5.2 基礎設計
基礎型式的選擇要按照全線地形、地質、水文等情況,以及基礎受力條件,來確定基礎型式。鋼筋混凝土桿和鐵塔的基礎按其受力型式劃分,可分為:上拔、下壓類基礎和傾覆類基礎。
1.6 通信保護設計
電力線路與通信線交叉跨越時,其交叉角應符合“線路設計規程”規定,跨越Ⅰ級通信線路時,交叉角應不小于45°;跨越Ⅱ級通信線時,交叉角應不小于30°;跨越Ⅲ級通信線時不作規定。
1.7 初步設計應提供圖紙資料
初步設計應提供設計說明書、線路路徑方案圖、變電所進出線平面圖、導線力學特性表、地線力學特性表、絕緣子串及金具組裝一覽圖、接地裝置圖、桿塔形式一覽圖、基礎形式一覽圖;設備材料估算表;巖土工程報告;水文氣象報告(必要時);概算書。
2.110kV輸電線路工程設計中遇到的問題及注意事項
2.1 設計中應注意線路相位的對應。尤其是T接線路,一定要調查清楚原線路起止端的相位情況及線路中是否有相位改變的情況;另外是不同的用電系統相連接時一定要注意相位的變化。
2.2 線路導線排列方式改變的地方,如水平變垂直排列,三角變垂直排列等,必須要校驗線間距離是否滿足絕緣配合的要求。一旦發生電氣距離不夠的問題,解決起來將十分困難。同時要注意防止35kV架空線變電站進出線檔終端桿塔比變電站構架高出太多的情況。
2.3 加強初步設計的野外踏勘工作。設計人員一定要親臨現場, 對輸電線路沿線地質、地貌、水文等情況詳細勘測,即看即記,不能過后補記。
2.4 當使用的耐張轉角塔為船型橫擔,當轉角度數大于50度時應校驗邊導線對橫擔的電氣距離是否滿足要求。
2.5 “T”接的輸電線路,需設計出該“T”接點采用的桿型,并應具體說明連接布置方法。
2.6 當高差很大時,一般不要采用干字型耐張轉角塔,容易發生桿塔跳線對塔身距離不夠的問題,如確需采用須進行校驗;耐張塔一定要提供掛板火曲度數;采用的塔型為杯型或貓型塔還需校驗中導線對瓶口的電氣距離。
2.7 耐張塔前后側掛有不同型號導線時,注意導線產生的張力差是否影響桿塔,特別是拉線耐張水泥桿應進行特殊處理。
2.8 嚴格執行先勘察、后設計、再施工的原則,嚴禁違反基建程序,邊勘察、邊設計、邊施工的“三邊”工程。
3 結束語
綜上所述, 對110kV下輸電線路初步設計過程及設計中遇到的問題進行了簡要分析介紹,內容包括:線路路徑選擇、導線形式選擇、地線型式選擇、氣象條件確定、絕緣配合及防雷設計、桿塔型式選擇、桿塔基礎設計、通信保護設計及初步設計應提供圖紙資料,并就一些設計中容易發生的問題進行了介紹,供同行參考。